篇名
台版晶片法案之產業創新條例第10條之2精華彙整(財稅修法篇)
作者
施敏(張曉芬)
說明
發佈時間：20230208
繼歐洲晶片法案、美國晶片法案、日本半導體復興計劃、韓國K半導體戰略陸續出爐後，我國終於在112年1月份由立法院通過、總總府正式公布，素有台版晶片法案稱號之《產業創新條例》第10條之2自此誕生，號稱是史上最大的企業研發投資抵減方案。預期對於提升半導體、5G、電動車、低軌衛星等台灣護國群山產業之競爭力，將有實質莫大的助益。
圖：經濟部提供
(一)立法目的：
- 為強化產業國際競爭優勢。
- 鞏固我國產業全球供應鏈之地位。
(二)適用對象：我國境內進行技術創新且居國際供應鏈關鍵地位之公司。
(三)適用條件：同時符合下列條件者。
(四)獎勵項目：
- 在同一課稅年度內之(1) 研究發展費用；及(2) 研究發展費用占營業收入淨額比率(研發密度) 達一定規模。
- 當年度有效稅率未低於一定比率。
- 最近三年內無違反環境保護、勞工或食品安全衛生相關法律且情節重大情事。
- 前瞻創新研究發展投資抵減：符合上述所定要件之公司，得就當年度投資於前瞻創新研究發展支出金額25%，抵減當年度應納營利事業所得稅額，並以不超過其當年度應納營利事業所得稅額30%為限(上限)。
- 先進製程全新設備投資抵減：符合上述所定要件之公司，其當年度購置自行使用於先進製程之全新機器或設備達一定規模者，得於支出金額5%，抵減當年度應納營利事業所得稅額，並以不超過其當年度應納營利事業所得稅額30%為限(上限)。
(五)不得重複適用：申請核准適用前瞻創新研究發展支出規定投資抵減之公司，其當年度全部研究發展支出，不得適用第10條、第12條之1第1項及其他法律為鼓勵研究發展目的提供之所得稅優惠；申請核准適用前項規定投資抵減之公司，其當年度全部購置機器及設備支出，不得適用前條及其他法律規定機器或設備投資之所得稅優惠。
(六)合計抵減上限：
- 於同一年度申請核准適用前瞻創新研發及先進製程設備之投資抵減，或與本條例或其他法律規定之投資抵減合併適用時，其當年度合計得抵減總額以不超過當年度應納營利事業所得稅額50%為限。但依其他法律規定當年度為最後抵減年度且抵減金額不受限制者，不在此限。
- 所稱有效稅率，指公司當年度依所得稅法規定計算之應納稅額，減除依境外所得來源國稅法規定繳納之所得稅可扣抵之稅額、大陸地區來源所得在大陸地區及第三地區已繳納之所得稅可扣抵之稅額、依本條例及其他法律規定之「投資抵減稅額後之餘額占其全年所得額」之比率。所定一定比率係指： (1)112年度：12%。
(2)113年度起：15%※。但113年度之一定比率，得由中央主管機關會同財政部審酌國際間施行經濟合作暨發展組織全球企業最低稅負制情形調整為12%，報請行政院核定後，由中央主管機關會同財政部公告之。 ※【註】係參考經濟合作暨發展組織（OECD）全球企業最低稅負制之稅率15％訂定。
(七)施行期間：自民國112年1月1日起至118年12月31日止。
延伸學習
關鍵詞
晶片法案、產業創新條例
刊名
施敏財稅通
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